در این کار تکنیک های طراحی سیستم برای حس و کنترل جنبش ساختارهای MEMS با
جرم خیلی کوچک و ظرفیت خازنی خیلی پایین تحقیق گردیده و برای شتاب سنج
CMOS MEMS مجتمع نویز پایین به کار گرفته شده است .ساختار هایCMOS MEMS
با میکرو ماشین کاری سطحی ساخته شده اند شتاب سنج های CMOS MEMS به طور معمول
حساسیتی پایین در حدود 1 MV/gو تغییرات خازنی در اثر تغییر شتاب حدود 0.4را دارا
می باشند بنابراین نویز و دیگر اثرات مخرب بایستی حداقل گردند برای شتاب MEMSسه
نوع منبع نویز وجود دارد : نویز و دیگر اثرات مخرب بایستی حداقل گردند برای شتاب
سنج MEMSسه نوع منبع نویز وجود دارد : نویز الکتریکی حاصل از اواسط مدار و سنسور
نویز براونی حرارتی – مکانیکی ناشی از مصرف انرژی برای دمپ و نویز چندی کننده وقتی
که سیستم شامل مبدل آنالوگ به دیجیتال هم باشد . غیر خطی های دیگری هم شامل آفت
موقعیت سنسور آفست مدار و شارژ نامطلوب در گره های امپداس بالای سنسور وجود دارند .
در قسمت طراحی مدار حس گر مدل نویز مداری را مطرح کرده ایم که توسط آزمایش تایید
شده و دید کلی برای مصالحه در طراحی داده است . گروهی از تکنیک های مداری برای حداقل
کردن نویز مداری و کاهش اثرات غیر ایده آلی های دیگر اضافه شده اند که   شامل اختار کم نویز
حس ولتاژ پیوسته – زمانی براساس پایداری چاپر حداقل کردن نویز وابسته ورودی براساس تطبیق
خازنی در اتصال سنسور به مدار ، بایاس dc قوی در گره احساس که به صورت پریودیک شارژ